檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="橫向長晶"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
為了獲得高性能高均一性的薄膜電晶體,我們藉由透鏡陣列輔助單晶定位技術,將TFT的通道位置以避開晶種的方式製作於粒徑為10μm的單晶矽晶粒中。另外我們也以半吸光層輔助結晶的技術,成功的在非晶矽膜以及多…
2
本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性,並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現,雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm,並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
3
本論文以即時光學反射穿透率量測系統,測量了熱滯留層輔助準分子雷射退火矽膜結晶法過程中的融化時間。實驗結果顯示吸收係數12000cm-1時disc grain尺寸由傳統製程方式之1μm增加為8μm,原…